La Generalitat ha formalitzat l'adjudicació del contracte per a la redacció del projecte bàsic d’enginyeria destinat a la construcció del primer centre especialitzat en disseny, desenvolupament i prototipatge de xips a Catalunya. Aquesta adjudicació, que ascendeix a 2,6 milions d'euros, ha estat confirmada per fonts oficials del Departament d’Economia i Finances, després que el diari Ara n’avancés la notícia.
L'encàrrec ha recaigut sobre el grup enginyer IDP, que haurà de presentar la seva proposta definitiva durant el mes d’abril d’aquest any. El futur centre s’ubicarà al Parc de l’Alba, a Cerdanyola del Vallès, sobre una superfície aproximada de 22.000 metres quadrats, on s’alçaran tres edificis destinats a acollir les diferents activitats.
Inversió i marc estratègic
En total, la inversió prevista per aquest projecte anomenat InnoFAB supera els 400 milions d’euros, amb finançament assegurat mitjançant els fons europeus Next Generation. Aquest pla s’inscriu dins dels àmbits definits pel Perte Xip i l’European Chips Act.
A principis d’abril del 2025, el Govern va aprovar aquest projecte amb l'objectiu explícit de fer de Catalunya “un actor clau” en el desenvolupament tecnològic dels semiconductors avançats. Segons expliquen des del departament responsable, el centre vol oferir “un entorn únic” per a start-ups i empreses relacionades amb els semiconductors.
Aposta pel teixit empresarial català
L’impuls pretén reforçar les capacitats industrials existents i accelerar la implementació de noves solucions tecnològiques aplicables a múltiples sectors econòmics. Així mateix, està pensat perquè tant pimes com grans empreses hi trobin un suport eficaç en els processos innovadors vinculats als semiconductors.
Perspectives futures i gestió administrativa
D’altra banda, es preveu que els projectes executius i constructius corresponents al centre InnoFAB siguin licitats durant l’estiu del 2026. Aquest impuls compta amb la col·laboració activa entre el Departament d’Economia i Finances i el Departament de Recerca i Universitats.