El Govern aprovarà la creació del centre de semiconductors InnoFAB per situar Catalunya com a referent europeu

El Govern català té previst donar llum verda aquest dimarts a la creació del Centre de Recerca de Semiconductors InnoFAB, una infraestructura estratègica que pretén convertir Catalunya en un actor clau dins la indústria dels microxips a Europa. Segons ha avançat El Periódico i ha confirmat l’ACN, el projecte comptarà amb una inversió total de 400 milions d’euros i s’emmarca en els programes europeus PERTE Chip i l’European Chips Act.

InnoFAB es va anunciar per primera vegada al Cercle d’Economia del 2023 per l’aleshores president de la Generalitat, Pere Aragonès. El centre s’ubicarà a Cerdanyola del Vallès i ocuparà una superfície de 2.000 metres quadrats dedicada al disseny i la preproducció de xips amb materials avançats.

El projecte arrencarà amb una aportació inicial de 3,5 milions d’euros, que es destinaran a la licitació del projecte d’enginyeria. El Govern també preveu crear una nova entitat pública que s’encarregarà d’executar i gestionar el desenvolupament d’InnoFAB. Segons les previsions, les obres tindran una durada estimada de dos anys.

Amb aquest centre, el Govern vol impulsar la sobirania tecnològica de Catalunya i contribuir al reforç de l’autonomia estratègica de la Unió Europea en un sector clau per a la innovació digital i industrial del futur.